本文摘要：在人工智能的理解系统里，最重要部分就是通过神经网络、深度自学等技术让机器尽量像人一样去思维，而机器的世界里只有0和1，这就必须海量数据来协助机器展开辨别。
在人工智能的理解系统里，最重要部分就是通过神经网络、深度自学等技术让机器尽量像人一样去思维，而机器的世界里只有0和1，这就必须海量数据来协助机器展开辨别。以前妨碍人工智能发展的主要因素是CPU的处置能力，随着数据的爆发式快速增长，传统的存储解决方案不仅无法符合高速计算出来的市场需求，而且无法负担得起数据长年保有产生的费用，这促成很多企业开始谋求新的存储解决方案。
纵观2017年的存储市场，全年规模超过950亿美金，供应严重不足的局面推展存储芯片收益快速增长64％，三星也因此在2017年的半导体市场首次打破英特尔攀上第一的宝座，可见存储的市场地位更加最重要，完全全球的存储厂商都在研发小体积、大存储、低功耗的存储设备，从而符合人工智能时代的存储市场需求。最近与非网记者专访了ReRAM存储技术的发明者公司Crossbar，其战略营销和业务发展副总裁SylvainDubois向记者讲解了Crossbar的近期发展动向。Crossbar战略营销和业务发展副总裁SylvainDuboisReRAM：200W的擦写速度政治宣传当前的存储方式在消费电子领域，手机和电脑用户在出售产品之前，一定为存储空间大小和价格而纠葛过，完全所有的电子产品都是存储空间越大价格越贵，这就导致用户很难构建大存储、较低总价的支出目标。
在人工智能的深度自学和推理小说过程中，存储器的擦写速度要求了神经网络的计算速度，从而要求系统的辨别速度，Crossbar公司研发的ReRAM技术所谓不易失性存储器领域的一种新技术，可以填补DRAM和Flash的严重不足。SylvainDubois讲解，“ReRAM技术用于了基于硅的切换材料作为构成金属导电细丝的宿主，当电压起到于两个电极之间时，就不会构成纳米级导电细丝。金属导电细丝的优势在于密度低、交叉线结构，工艺节点可以演进到大于10nm；在结构上可以展开3D填充，从而在单个芯片上构建多个TB级的存储能力。
”ReRAM技术与CMOS相容，因此使得即便在最先进设备的工艺制程上，逻辑电路和存储器可以构建在的同一颗单芯片内。换句话说，ReRAM技术可以将CPU芯片上原本空置的空间加以利用，填满上存储器，从而减少CPU内部的存储空间，这样更加多数据就可以不存在芯片内部。
按照目前的存储模式，CPU必须外挂存储器，当展开数据分析时，CPU要再行将外部数据传输到内部内存，再行展开数据处理，而有了ReRAM存储技术，CPU的内部存储空间可以减少256GB甚至更加多，CPU可以必要对内部数据展开分析，不不受总线宽度的约束，因为数据在CPU内部不更容易被窃取，安全性更高；ReRAM技术所谓不易俱存储器技术，可以工作在极低能耗条件下，甚至关电条件下，能耗能耗比独立国家存储器较低100倍。SylvainDubois认为，“ReRM存储技术可以在单芯片上构建过于字节（terabyte）存储，比DRAM低40倍的密度，并不具备最低的性能和可靠性。在CES上的Demo展出早已可以超过200W的擦写速度，而且ReRAM技术需要数据流，Crossbar可以和客户一起研发产品，擦写速度可以构建更高。
”高可靠性，限于于高速数据处理人工智能必不可少大数据，而大数据处理必定产生热量，一般的随着温度的增高处理器性能不会大幅上升，普通人从电脑和手机的用于过程中可以获得深刻印象体验，因此，存储器在高温下的稳定性牵涉到数据中心运营平稳，以及人工智能算法能否如期已完成计算出来。
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